Methods and systems for improving access to memory cells
WO2022013589
Art A1
20. Januar 2022
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022013589
- Aktenzeichen
- EP20945473
- Anmeldetag
- 14. Juli 2020
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00G06F11/10G06F12/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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