3d quilt memory array for feram and dram

WO2022013590 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022013590
Aktenzeichen: EP20945019
Anmeldetag: 14. Juli 2020
Veröffentlichung: 20. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/22G11C14/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von