Semiconductor device

WO2022013677 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022013677
Aktenzeichen: EP21842508
Anmeldetag: 5. Juli 2021
Veröffentlichung: 20. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G06G7/60G06F7/523G06F7/575H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L21/8239H01L27/105H01L21/8242H01L27/108H01L27/1156H01L21/336H01L29/788H01L29/792H01L29/786G06F17/10G11C11/405

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

Vertreten von