Sic epitaxial substrate manufacturing device and manufacturing method

WO2022013906 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022013906
Aktenzeichen: EP20945623
Anmeldetag: 13. Juli 2020
Veröffentlichung: 20. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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