Semiconductor device
WO2022013930
Art A1
20. Januar 2022
Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, TOSHIBA ENERGY SYSTEMS&SOLUTIONS CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022013930
- Aktenzeichen
- EP20945362
- Anmeldetag
- 13. Juli 2020
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/07H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
TOSHIBA ENERGY SYSTEMS&SOLUTIONS CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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