Layer structure for magnetic memory element, magnetic memory element, magnetic memory device, and method for storing data in magnetic memory element

WO2022014529 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: KYOTO UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022014529
Aktenzeichen: EP21841526
Anmeldetag: 12. Juli 2021
Veröffentlichung: 20. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11B5/39H01L43/08H01L21/8239H01L27/105H01L29/82G11C11/16

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: KYOTO UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyoto University

Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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