Semiconductor device

WO2022014623 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022014623
Aktenzeichen: EP21842456
Anmeldetag: 13. Juli 2021
Veröffentlichung: 20. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L29/06H01L29/78H01L29/12H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von