High-energy laser apparatus for thin film temperature sensing

WO2022015504 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022015504
Aktenzeichen: EP21746238
Anmeldetag: 29. Juni 2021
Veröffentlichung: 20. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01S3/00G02B7/18G02B7/00G02B5/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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