Epitaxial growth of source and drain materials in a complementary field effect transistor (cfet)

WO2022015924 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: SYNOPSYS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022015924
Aktenzeichen
EP21752357
Anmeldetag
15. Juli 2021
Veröffentlichung
20. Januar 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/822H01L21/8238H01L29/775
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SYNOPSYS, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Synopsys

Synopsys ist ein US-amerikanischer Anbieter von Software für den Chip- und Systementwurf (EDA) mit Sitz in Kalifornien. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Optik und Elektronik für Entwurfswerkzeuge. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

483 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen