Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (cfet) to a buried power rail (bpr) of the cfet

WO2022015926 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: SYNOPSYS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022015926
Aktenzeichen: EP21755862
Anmeldetag: 15. Juli 2021
Veröffentlichung: 20. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/822H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SYNOPSYS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Synopsys

Synopsys ist ein US-amerikanischer Anbieter von Software für den Chip- und Systementwurf (EDA) mit Sitz in Kalifornien. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Optik und Elektronik für Entwurfswerkzeuge. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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