Metal chelators for development of metal-containing photoresist

WO2022016126 Art A1 20. Januar 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022016126
Aktenzeichen: EP21843334
Anmeldetag: 16. Juli 2021
Veröffentlichung: 20. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/32G03F7/20G03F7/16G03F7/004H01L21/027H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von