Two-Step L-Shaped Selective Epitaxial Growth

WO2022016479 Art A1 27. Januar 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022016479
Aktenzeichen: EP20946466
Anmeldetag: 24. Juli 2020
Veröffentlichung: 27. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11575H01L27/11582H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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