Semiconductor structure and method for forming same
WO2022017079
Art A1
27. Januar 2022
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022017079
- Aktenzeichen
- EP21846826
- Anmeldetag
- 15. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 27. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.