Photomask defect detection method and system

WO2022017080 Art A1 27. Januar 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022017080
Aktenzeichen: EP21845551
Anmeldetag: 16. Juni 2021
Veröffentlichung: 27. Januar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/94G03F1/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik

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