Niobium precursor compound, film-forming precursor composition comprising same, and method for forming niobium-containing film
WO2022019712
Art A1
27. Januar 2022
Anmelder: UP CHEMICAL CO., LTD., SK HYNIX INC. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022019712
- Aktenzeichen
- EP21845224
- Anmeldetag
- 23. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 27. Januar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/18C23C16/40C23C16/34C23C16/32C23C16/455C07F9/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- UP CHEMICAL CO., LTD.
SK HYNIX INC. - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
136 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.