Improved memory device performance based on storage traffic pattern detection

WO2022020315 Art A1 27. Januar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022020315
Aktenzeichen
EP21755179
Anmeldetag
20. Juli 2021
Veröffentlichung
27. Januar 2022
Rechtsraum
WO
IPC
G06F12/02G06F3/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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