Method for forming high density pattern

WO2022022035 Art A1 3. Februar 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022022035
Aktenzeichen: EP21849276
Anmeldetag: 25. Mai 2021
Veröffentlichung: 3. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/033G03F1/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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