Capacitor structure, manufacturing method therefor, and memory
WO2022022048
Art A1
3. Februar 2022
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022022048
- Aktenzeichen
- EP21850763
- Anmeldetag
- 31. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/64
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.