Sic semiconductor device

WO2022024813 Art A1 3. Februar 2022

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022024813
Aktenzeichen: EP21851480
Anmeldetag: 16. Juli 2021
Veröffentlichung: 3. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/06H01L29/41H01L29/417H01L29/78H01L29/12H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von