Silicon carbide semiconductor device

WO2022025010 Art A1 3. Februar 2022

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD., NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022025010
Aktenzeichen: EP21850573
Anmeldetag: 26. Juli 2021
Veröffentlichung: 3. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/20H01L21/336H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von