Silicon etching liquid, and method for producing silicon device and method for processing silicon substrate, each using said etching liquid
WO2022025161
Art A1
3. Februar 2022
Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022025161
- Aktenzeichen
- EP21851299
- Anmeldetag
- 29. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/308H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKUYAMA CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
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