Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing device provided with semiconductor device, semiconductor device, and device provided with semiconductor device
WO2022025214
Art A1
3. Februar 2022
Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022025214
- Aktenzeichen
- EP21848679
- Anmeldetag
- 29. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/12H01L23/29H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOHOKU UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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