Microelectronic devices including conductive structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

WO2022026122 Art A1 3. Februar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022026122
Aktenzeichen: EP21850494
Anmeldetag: 2. Juli 2021
Veröffentlichung: 3. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/1157H01L27/11575H01L27/11565

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von