Impurity Reduction in Silicon-Containing Films

WO2022027016 Art A1 3. Februar 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022027016
Aktenzeichen: EP21850522
Anmeldetag: 27. Juli 2021
Veröffentlichung: 3. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/311C23C16/04C23C16/40C23C16/455C23C16/56

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von