Balanced Three-Level Read Distrub Management in A Memory Device

WO2022027610 Art A1 10. Februar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022027610
Aktenzeichen: EP20948885
Anmeldetag: 7. August 2020
Veröffentlichung: 10. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C8/14G11C8/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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