Oxidation layer, semiconductor structure, and manufacturing methods therefor

WO2022028159 Art A1 10. Februar 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022028159
Aktenzeichen: EP21852196
Anmeldetag: 30. Juni 2021
Veröffentlichung: 10. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/28H01L29/423H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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