Resist pattern forming method and composition for forming resist underlayer film

WO2022030316 Art A1 10. Februar 2022

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022030316
Aktenzeichen: EP21852481
Anmeldetag: 27. Juli 2021
Veröffentlichung: 10. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C08F8/00G03F7/11G03F7/20H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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