Method for cleaning aluminum nitride single crystal substrate, method for producing aluminum nitride single crystal laminate, method for producing aluminum nitride single crystal substrate, and aluminum nitride single crystal substrate
WO2022030550
Art A1
10. Februar 2022
Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022030550
- Aktenzeichen
- EP21854624
- Anmeldetag
- 4. August 2021
- Veröffentlichung
- 10. Februar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B25/16H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKUYAMA CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
1.073 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.