P-type oxide semiconductor and semiconductor device containing p-type oxide semiconductor
WO2022030648
Art A2
10. Februar 2022
Anmelder: FLOSFIA INC., KYOTO UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022030648
- Aktenzeichen
- EP21854477
- Anmeldetag
- 10. August 2021
- Veröffentlichung
- 10. Februar 2022
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- FLOSFIA INC.
KYOTO UNIVERSITY - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
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