Steep-slope field effect transistor and manufacturing method therefor

WO2022030884 Art A1 10. Februar 2022

Anmelder: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022030884
Aktenzeichen: EP21854484
Anmeldetag: 29. Juli 2021
Veröffentlichung: 10. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/788H01L29/06H01L29/16H01L29/66H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

2.521 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von