Three-dimensional memory device including a composite semiconductor channel and a horizontal source contact layer and method of making the same

WO2022031357 Art A1 10. Februar 2022

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022031357
Aktenzeichen: EP21853401
Anmeldetag: 4. Juni 2021
Veröffentlichung: 10. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/11556H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

2.373 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von