Conductive via of integrated circuitry, memory array comprising strings of memory cells, method of forming a conductive via of integrated circuitry, and method of forming a memory array comprising strings of memory cells

WO2022031461 Art A1 10. Februar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022031461
Aktenzeichen: EP21852304
Anmeldetag: 23. Juli 2021
Veröffentlichung: 10. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11575H01L27/11578H01L27/11568H01L27/11565

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von