Reduced pitch memory subsystem for memory device

WO2022031466 Art A1 10. Februar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022031466
Aktenzeichen: EP21853926
Anmeldetag: 24. Juli 2021
Veröffentlichung: 10. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02H01L27/092H01L27/11519H01L27/11526H01L27/11565H01L27/11573G11C16/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von