Memory device and fabrication method thereof

WO2022032469 Art A1 17. Februar 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022032469
Aktenzeichen: EP20948968
Anmeldetag: 11. August 2020
Veröffentlichung: 17. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11556H01L27/11524H01L27/11582H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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