Memristor and manufacturing method therefor, and resistive random access memory
WO2022032582
Art A1
17. Februar 2022
Anmelder: SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022032582
- Aktenzeichen
- EP20949081
- Anmeldetag
- 13. August 2020
- Veröffentlichung
- 17. Februar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L45/00H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Goodix Technology
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Shenzhen, spezialisiert auf Fingerabdrucksensoren, Touch-Controller und Sicherheitschips für mobile Endgeräte.
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Fachgebiete
Vertreten von
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