Combined self-forming barrier and seed layer by atomic layer deposition

WO2022035894 Art A1 17. Februar 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022035894
Aktenzeichen: EP21856596
Anmeldetag: 10. August 2021
Veröffentlichung: 17. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/285H01L21/288C23C16/04C23C16/06C23C16/455C23C28/02H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von