Three-dimensional memory devices with stabilization structures between memory blocks and methods thereof

WO2022036510 Art A1 24. Februar 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022036510
Aktenzeichen: EP20949723
Anmeldetag: 17. August 2020
Veröffentlichung: 24. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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