Etch rate modulation of finfft through high-temperature ion implantation

WO2022036695 Art A1 24. Februar 2022

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022036695
Aktenzeichen: EP20949903
Anmeldetag: 21. August 2020
Veröffentlichung: 24. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L27/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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