Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe

WO2022037889 Art A1 24. Februar 2022

Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022037889
Aktenzeichen: EP21746746
Anmeldetag: 21. Juli 2021
Veröffentlichung: 24. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/12C23C16/458C30B25/18C30B29/06H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SILTRONIC AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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