Method for producing metal oxide

WO2022038450 Art A1 24. Februar 2022

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022038450
Aktenzeichen: EP21857838
Anmeldetag: 6. August 2021
Veröffentlichung: 24. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/316H01L21/428H01L21/477H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L21/8242H01L27/108H01L27/1156H01L29/786H01L21/336C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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