Perovskite thin film having passivated crystalline grain boundary, method for preparing same, and electronic device comprising same
WO2022039522
Art A1
24. Februar 2022
Anmelder: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022039522
- Aktenzeichen
- EP21858609
- Anmeldetag
- 19. August 2021
- Veröffentlichung
- 24. Februar 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/0392H01L31/18H01L31/0224
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Korea Research Institute of Chemical Technology
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon, tätig in der Entwicklung von Chemikalien, Materialien und Verfahrenstechnik.
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