Apparatuses, systems, and methods for ferroelectric memory cell operations

WO2022040028 Art A1 24. Februar 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022040028
Aktenzeichen: EP21858865
Anmeldetag: 13. August 2021
Veröffentlichung: 24. Februar 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/22H01L27/11597H01L27/11592H01L27/11587H01L27/11595G11C8/14G11C7/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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