Split-gate flash memory device and preparation method therefor, and electronic device

WO2022041768 Art A1 3. März 2022

Anmelder: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022041768
Aktenzeichen: EP21859617
Anmeldetag: 15. April 2021
Veröffentlichung: 3. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11521

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von