Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2022044542 Art A1 3. März 2022

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022044542
Aktenzeichen: EP21860972
Anmeldetag: 1. Juli 2021
Veröffentlichung: 3. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/8234H01L27/06H01L29/41H01L29/423H01L29/49H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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