Method for manufacturing silicon single crystal substrate, and silicon single cyrystal substrate

WO2022044641 Art A1 3. März 2022

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022044641
Aktenzeichen: EP21861069
Anmeldetag: 23. Juli 2021
Veröffentlichung: 3. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C30B33/02C30B33/10H01L21/20H01L21/322C30B29/06C30B31/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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