Memory Cell Programming That Cancels Threshold Voltage Drift

WO2022046593 Art A1 3. März 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022046593
Aktenzeichen: EP21862455
Anmeldetag: 23. August 2021
Veröffentlichung: 3. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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