Anodization for metal matrix composite semiconductor processing chamber components

WO2022046643 Art A1 3. März 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022046643
Aktenzeichen: EP21862483
Anmeldetag: 23. August 2021
Veröffentlichung: 3. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/683H01L21/687H01L21/67H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von