Multiaxial strain engineering of defect doped materials

WO2022046896 Art A1 3. März 2022

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY, NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022046896
Aktenzeichen: EP21862648
Anmeldetag: 25. August 2021
Veröffentlichung: 3. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/04H01L21/30H01L21/46H01L21/67H01L31/18H01L21/02H01L21/64H01L29/36B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

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Die Nanyang Technological University ist eine staatliche Forschungsuniversität in Singapur, die in den Bereichen Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologie international hoch angesehen ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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