Memory subword driver circuits with common transistors at word lines
WO2022047062
Art A1
3. März 2022
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022047062
- Aktenzeichen
- EP21862759
- Anmeldetag
- 26. August 2021
- Veröffentlichung
- 3. März 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/408G11C8/08G11C8/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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