Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming thereof

WO2022047722 Art A1 10. März 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022047722
Aktenzeichen: EP20951969
Anmeldetag: 4. September 2020
Veröffentlichung: 10. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/1157H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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